Dirac Metallic FeB2-Induced Low Schottky Barrier and Electrically Tunable Schottky Contact in FeB2/MoS2 van der Waals Heterostructure
Trong những năm gần đây, vật liệu hai chiều (2D) đã trở thành một trong những hướng nghiên cứu trọng tâm của vật lý chất rắn và khoa học vật liệu nhờ sở hữu các tính chất điện tử, cơ học và quang học đặc biệt ở cấp độ nguyên tử. Tuy nhiên, việc ứng dụng trực tiếp các vật liệu 2D trong linh kiện điện tử vẫn gặp nhiềuhạn chế, đặc biệt liên quan đến điện trở tiếp xúc, sự ghim mức Fermi và khả năng truyền tải điện tích tại giao diện kim loại–bán dẫn. Vì vậy, việc thiết kế các cấu trúc dị thể van der Waals (vdW) nhằm tối ưu hóa tiếp xúc Schottky và nâng cao hiệu suất vận chuyển điện tích đang thu hút sự quan tâm mạnh mẽ của cộng đồng nghiên cứu quốc tế.
